一、場效應管有幾種類型

場效應(ying)(ying)管分為(wei)結型場效應(ying)(ying)管（JFET）和(he)絕(jue)緣柵場效應(ying)(ying)管（MOS管）兩大類。

按溝(gou)道(dao)(dao)材料(liao)型(xing)(xing)和絕(jue)緣柵型(xing)(xing)各分N溝(gou)道(dao)(dao)和P溝(gou)道(dao)(dao)兩種；按導(dao)電方式：耗盡型(xing)(xing)與增(zeng)強型(xing)(xing)，結型(xing)(xing)場效應(ying)(ying)管均為耗盡型(xing)(xing)，絕(jue)緣柵型(xing)(xing)場效應(ying)(ying)管既(ji)有(you)耗盡型(xing)(xing)的，也(ye)有(you)增(zeng)強型(xing)(xing)的。

場效應(ying)晶(jing)體管(guan)可分為結(jie)場效應(ying)晶(jing)體管(guan)和MOS場效應(ying)晶(jing)體管(guan)，而MOS場效應(ying)晶(jing)體管(guan)又分為N溝耗(hao)盡型和增強型；P溝耗(hao)盡型和增強型四大(da)類。

二、怎么選擇場效應管

1、選擇須合適的勾道（N溝道還是P溝道）

挑選(xuan)好場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管電子元(yuan)件的第一(yi)步是取決(jue)選(xuan)用(yong)N溝道(dao)或是P溝道(dao)場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管。在典型(xing)的功率使用(yong)中，當1個場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管接(jie)(jie)地，而負載接(jie)(jie)入到干線電壓(ya)上時，該(gai)場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管就組成了(le)低壓(ya)側(ce)開關(guan)。在低壓(ya)側(ce)開關(guan)中，應選(xuan)用(yong)N溝道(dao)場(chang)效(xiao)應晶(jing)體(ti)管，它是出自于對關(guan)閉或導通電子元(yuan)件所要電壓(ya)的考慮。

2、確定場效應管的額定電流，選好額定電流以后，還需計算導通損耗

在實際(ji)情況下，場效應晶體(ti)管并(bing)不一(yi)定是理想的(de)電子元件，歸因于在導(dao)電過(guo)程中會(hui)有電能消耗，這叫做導(dao)通損(sun)耗。場效應晶體(ti)管在“導(dao)通”時好比一(yi)個(ge)可變電阻，由電子元件的(de)RDS（ON）所確(que)認(ren)，并(bing)隨溫度而明顯(xian)變動(dong)。

電(dian)(dian)(dian)子元件的(de)功(gong)(gong)率損耗可由Iload2×RDS（ON）估算，因(yin)為導(dao)通(tong)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)隨溫(wen)度變動(dong)，因(yin)而(er)功(gong)(gong)率損耗也會隨著按占(zhan)比變動(dong)。對場效應晶體(ti)管施加的(de)電(dian)(dian)(dian)壓VGS越(yue)高，RDS（ON）就會越(yue)小；反之RDS（ON）就會越(yue)高。注(zhu)意(yi)RDS（ON）電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)會隨著電(dian)(dian)(dian)流輕微升高。關(guan)于RDS（ON）電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)的(de)各類電(dian)(dian)(dian)氣叁數(shu)變動(dong)可在生產商出示的(de)技術資料表里得知(zhi)。

3、確定熱要求，設計人員在設計時必須考慮到最壞和真實兩種情況

一般(ban)建(jian)議(yi)采用針對最壞的(de)結(jie)果計算，因為這個(ge)結(jie)果提(ti)供更大(da)的(de)安全余量，能(neng)夠(gou)確保系統(tong)不(bu)會失效。