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場效應管和mos管區別在哪里 場效應管的三個工作區域介紹

本文章由注冊用戶 淺嘗不止— 上傳提供 2024-04-17 評論 0
摘要:場效管(fet)是一種半導體裝置,它利用電場效應控制輸入回路電流,并以此命名。mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或稱金屬絕緣體(insulator)半導體。接下來本文將帶來場效應管和mos管區別在哪里以及場效應管的三個工作區域介紹,一起到文中來看看吧!

一、場效應管和mos管區別在哪里

場效應管之所以稱為場效應管,是因為它的工作方式是在柵極與源極之間增加電場來控制漏極與源極之間的電流,最大的特點就是柵極是基本沒有電流流過的。那么場效應管和mos管區(qu)別在哪里呢?

1、主題不同

(1)場效應管:v型槽mos場效應管。它是繼mosfet之后(hou)新興的高(gao)效功率開(kai)關器件。

(2)mos管(guan):金屬-氧化物-半導體場效應(ying)管(guan)屬絕緣柵(zha)型。

2、特性不同

(1)場效應管:mos場效(xiao)應(ying)管(guan)不(bu)僅繼承了輸入(ru)阻抗高(≥108W)、驅動電(dian)流(約為(wei)0.1μA),而且還具有耐(nai)壓高(最高可耐(nai)壓)、工作(zuo)電(dian)流(1.5A~100A)、輸出功率高(約為(wei)108W)、驅動電(dian)流(約0.1μA)等(deng)優良特(te)性。

(2)mos管:其主要特征是金屬柵極和溝道之間有一層二氧化硅絕(jue)緣層,因此有很(hen)高(gao)(gao)的(de)輸入電阻(最高(gao)(gao)可達1015Ω)。

3、規則不同

(1)場效(xiao)應管:功率晶體管的優點集于一身,因此在電壓放大(da)器(qi)(qi)(電壓放大(da)倍數達到(dao)數千倍)、功率放大(da)器(qi)(qi)、開關電源和逆變器(qi)(qi)等方面得到(dao)了廣泛的應用。

(2)mos管(guan):當vgs=0時是(shi)處(chu)于(yu)截止狀態,再加(jia)上正確的(de)vgs,大部分載體(ti)會被吸引到柵極上,從而“加(jia)強(qiang)”這一區域的(de)載體(ti),形成導電溝(gou)道。

二、場效應管的三個工作區域介紹

前文已經簡(jian)單(dan)了(le)解了(le)場效應管和mos管區別在哪里,接著咱(zan)們就重(zhong)點來(lai)了(le)解效應管,來(lai)看看場效應管的三個工(gong)作區域(yu)是什么。

場(chang)效(xiao)應(ying)(ying)管有三(san)個極(ji)(ji)(ji):源極(ji)(ji)(ji)(s),柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(g),漏極(ji)(ji)(ji)(d),對應(ying)(ying)于晶體管的發射極(ji)(ji)(ji),基極(ji)(ji)(ji),以(yi)及集(ji)電極(ji)(ji)(ji)。場(chang)效(xiao)應(ying)(ying)管的三(san)個區(qu)(qu)域:截(jie)止區(qu)(qu),恒流區(qu)(qu),可(ke)變電阻區(qu)(qu),分(fen)別對應(ying)(ying)于三(san)極(ji)(ji)(ji)管的截(jie)止區(qu)(qu),放(fang)大(da)區(qu)(qu)以(yi)及飽和區(qu)(qu)。

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