一、igbt和mos管的區別有哪些

1、什么是igbt

IGBT，絕(jue)緣柵雙極型晶體管(guan)(guan)，是(shi)由晶體三(san)極管(guan)(guan)和MOS管(guan)(guan)組成的復合型半(ban)導(dao)體器(qi)件。

2、mos管是什么

MOS管即MOSFET，又(you)(you)叫絕緣(yuan)柵場效應管，是場效應管的一種類(lei)型(xing)。MOSFET又(you)(you)可分(fen)為N溝耗(hao)盡(jin)型(xing)、增強型(xing)、P溝耗(hao)盡(jin)型(xing)和(he)增強型(xing)四大類(lei)。

3、igbt和mos管的區別

（1）在結(jie)構上，MOSFET和(he)IGBT看起來非常相(xiang)似，實則不(bu)同。IGBT由(you)發射(she)極、集(ji)電極和(he)柵極端(duan)子(zi)組成(cheng)，而MOSFET由(you)源極、漏極和(he)柵極端(duan)子(zi)組成(cheng)。IGBT的結(jie)構中有PN結(jie)，MOSFET沒有任何PN結(jie)。

（2）在低電(dian)流區，MOSFET的導通電(dian)壓低于(yu)IGBT；在大(da)電(dian)流區IGBT的正(zheng)向電(dian)壓特性優(you)于(yu)MOSFET。

（3）IGBT的高溫特性更(geng)好(hao)，導(dao)通電(dian)壓比MOSFET低(di)。

（4）IGBT適用(yong)于中到極高電流的(de)傳(chuan)導和(he)控制，而MOSFET適用(yong)于低到中等電流的(de)傳(chuan)導和(he)控制。

（5）IGBT不適合(he)高(gao)頻應用，它(ta)能在千Hz頻率下運(yun)行良(liang)好。MOSFET特(te)別適合(he)非常高(gao)頻的應用，它(ta)可以在兆Hz頻率下運(yun)行良(liang)好。

（6）IGBT的開關速(su)(su)度比較低，MOSFET開關速(su)(su)度非(fei)常(chang)高。

（7）IGBT可以承受非常高的電壓(ya)以及(ji)大(da)功率，MOSFET僅適用(yong)于(yu)低至中(zhong)壓(ya)應用(yong)。

（8）IGBT具有(you)較大的關斷時間，MOSFET的關斷時間較小(xiao)。

（9）IGBT可以處理任何瞬態電(dian)壓和電(dian)流，但(dan)當發生瞬態電(dian)壓時，MOSFET的運行會受到干擾。

（10）MOSFET器件成(cheng)本低，價格便宜(yi)，而(er)IGBT至今仍屬于較高(gao)成(cheng)本器件。IGBT適合高(gao)功(gong)率交流應用，MOSFET適合低功(gong)率直(zhi)流應用。?

二、igbt和mos管哪個好

igbt和(he)mos管相比，各(ge)有(you)各(ge)的優勢和(he)缺點，并(bing)不(bu)好說哪種(zhong)更好，主要是(shi)根(gen)據實(shi)際(ji)應用場(chang)合來(lai)選擇：

1、IGBT的主要(yao)優勢是能(neng)夠處理和(he)傳導中至超(chao)高(gao)(gao)電壓(ya)(ya)和(he)大電流(liu)，擁有(you)非(fei)常(chang)高(gao)(gao)的柵極絕緣特性(xing)，且在電流(liu)傳導過程中產生非(fei)常(chang)低的正向壓(ya)(ya)降，哪(na)怕浪涌電壓(ya)(ya)出(chu)現(xian)時，IGBT的運行(xing)也不(bu)(bu)會(hui)受到干擾。與MOSFET相比，IGBT開關速度(du)較慢，關斷(duan)時間較長，不(bu)(bu)適合高(gao)(gao)頻應用(yong)，比較適合高(gao)(gao)壓(ya)(ya)大電流(liu)應用(yong)。

2、MOSFET的(de)優點(dian)決定(ding)(ding)了它(ta)非常適合高(gao)(gao)頻且開關速度要求高(gao)(gao)的(de)應用。在(zai)開關電(dian)(dian)源（SMPS）中(zhong)，MOSFET的(de)寄(ji)生參數(shu)至關重要，它(ta)決定(ding)(ding)了轉換時間、導(dao)通(tong)(tong)電(dian)(dian)阻、振(zhen)鈴（開關時超調）和背(bei)柵擊穿等性能，這些都與SMPS的(de)效(xiao)率密切相(xiang)關。對于門驅動(dong)器或者逆變器應用，通(tong)(tong)常需要選擇低輸入電(dian)(dian)容（利于快(kuai)速切換）以及較高(gao)(gao)驅動(dong)能力的(de)MOSFET。?

三、igbt和mos管能互換嗎

不能。

IGBT和MOSFET工(gong)作特(te)性不一(yi)樣，一(yi)般不能互換，在考(kao)慮具體技(ji)術(shu)細節的(de)情況下，可(ke)以(yi)用IGBT替代MOSFET，需要考(kao)慮的(de)問題點有：

1、電路的工作頻率

IGBT工作頻(pin)率低，一般(ban)25Khz是(shi)上(shang)限。如果電路工作頻(pin)率超過IGBT頻(pin)率上(shang)限（以具體管子(zi)數據手(shou)冊為準(zhun)），不能替換。

2、驅動電路的關斷方式

MOSFET可以(yi)用零(ling)壓(ya)關(guan)斷(duan)，也可以(yi)用負壓(ya)關(guan)斷(duan)。IGBT只(zhi)能用負壓(ya)關(guan)斷(duan)。如果(guo)電路驅動電路，只(zhi)是零(ling)壓(ya)關(guan)斷(duan)，一般不能替代。

3、功率管并聯

MOSFET是正(zheng)溫(wen)(wen)度特性，可以直接(jie)并聯擴流，而IGBT是負溫(wen)(wen)度特性，不能直接(jie)并聯。如果電(dian)路是多個MOSFET并聯使用，不能用IGBT簡(jian)單(dan)替換(huan)。

4、電路是否需要開關器件續流二極管

MOSFET自帶(dai)寄(ji)生二極管(guan)，IGBT則是另外(wai)加進去的。保險起見，只(zhi)選擇帶(dai)續流二極管(guan)的IGBT。

5、IGBT輸入電容

IGBT輸入(ru)電(dian)容(rong)要和原電(dian)路MOSFET的輸入(ru)電(dian)容(rong)接近。這只是(shi)考(kao)慮驅動電(dian)路的驅動能力(li)，與MOSFET和IGBT特性無關。

6、過流保護電路

對過(guo)流保(bao)護電路(lu)，IGBT要(yao)求更高。如果沒有(you)電路(lu)圖(tu)的話，可以(yi)通過(guo)短路(lu)試驗來確定能否替換。

對于常(chang)見的簡單電(dian)路，考(kao)慮上(shang)述幾個因素，就可以用符(fu)合功率耐壓要求IGBT替代MOSFET。