一、igbt屬于什么器件

IGBT，即Insulate-Gate Bipolar Transistor，翻譯過(guo)來(lai)是(shi)絕(jue)緣柵雙極晶(jing)體(ti)管，是(shi)半導體(ti)領域里分(fen)立器件中特別重要的一個分(fen)支。

IGBT屬于電(dian)(dian)壓控(kong)制器(qi)件(jian)，是(shi)由BJT和MOSFET組成的(de)(de)復(fu)合功率(lv)半導(dao)體器(qi)件(jian)，它能(neng)夠根據工業裝置中的(de)(de)信號指令來調節電(dian)(dian)路中的(de)(de)電(dian)(dian)壓、電(dian)(dian)流(liu)、頻率(lv)、相(xiang)位(wei)等，以(yi)實現(xian)精(jing)準(zhun)調控(kong)的(de)(de)目的(de)(de)，廣(guang)泛(fan)應用于電(dian)(dian)機(ji)節能(neng)、軌道交通、智能(neng)電(dian)(dian)網、航空航天(tian)、家用電(dian)(dian)器(qi)、汽車(che)電(dian)(dian)子、新能(neng)源發電(dian)(dian)、新能(neng)源汽車(che)等領域。

二、igbt有幾種類型

IGBT是半(ban)導體器件，它的應用廣泛，種類(lei)也有很(hen)多，按照不(bu)同的分(fen)類(lei)方法可分(fen)為不(bu)同類(lei)型(xing)：

1、在應用層面根據電壓等級劃分

（1）低(di)壓(ya)IGBT：指電(dian)壓(ya)等級(ji)在1000V以內的(de)IGBT器件，例(li)如(ru)常見的(de)650V應用于新(xin)能源汽車、家電(dian)、工業變頻等領域。

（2）中壓(ya)IGBT：指電(dian)壓(ya)等級(ji)在1000-1700V區間(jian)的IGBT器件，如1200V應用于(yu)光伏(fu)、電(dian)磁爐、家電(dian)、焊機(ji)、工業變頻器和(he)新能源汽車領域(yu)，1700V應用于(yu)光伏(fu)和(he)風電(dian)領域(yu)。

（3）高(gao)壓IGBT：指(zhi)電壓等級3300V及(ji)以上(shang)的IGBT器件，比如3300V和6500V應用于高(gao)鐵、動車、智能電網，以及(ji)工業電機等領域。

2、在產品層面根據封裝方式劃分

（1）IGBT單管：封裝(zhuang)規模較小，一般指封裝(zhuang)單顆IGBT芯(xin)片，電流通常在50A以下，適用于消費、工業家電領域。

（2）IGBT模(mo)塊：IGBT最(zui)常見的形(xing)式(shi)，是將多(duo)個IGBT芯片集成(cheng)封(feng)裝在一(yi)起，功率更大(da)、散(san)熱(re)能力更強(qiang)，適(shi)用(yong)于(yu)高壓大(da)功率平臺，如(ru)新能源車(che)、光伏、高鐵(tie)等。

（3）功(gong)率集(ji)成（IPM）：指把IGBT模塊加上散熱器(qi)、電容(rong)等外圍組(zu)件，組(zu)成一個功(gong)能較為(wei)完整(zheng)和復雜的智能功(gong)率模塊。

3、根據是否具有N+緩沖層劃分

（1）穿通IGBT：又稱PT-IGBT、非對(dui)稱IGBT，在發射極接觸處(chu)具有(you)(you)(you)N+區，具有(you)(you)(you)不對(dui)稱的電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)阻斷(duan)能力，即(ji)正(zheng)向(xiang)(xiang)和反向(xiang)(xiang)擊穿(chuan)(chuan)(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)不同。非對(dui)稱IGBT的反向(xiang)(xiang)擊穿(chuan)(chuan)(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)小于(yu)其正(zheng)向(xiang)(xiang)擊穿(chuan)(chuan)(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)，同時(shi)具有(you)(you)(you)更快的切換(huan)速(su)度(du)。穿(chuan)(chuan)(chuan)通(tong)IGBT是單向(xiang)(xiang)的，不能處(chu)理(li)反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)。因此，它們被用(yong)于(yu)逆變器和斬波器電(dian)(dian)路等直(zhi)流電(dian)(dian)路中。

（2）非穿(chuan)(chuan)通IGBT：又稱(cheng)NPT-IGBT、對(dui)稱(cheng)IGBT，它沒(mei)有由發(fa)射(she)極接觸(chu)額外的(de)N+區域，結構的(de)對(dui)稱(cheng)性(xing)提供了對(dui)稱(cheng)的(de)擊穿(chuan)(chuan)電壓特(te)性(xing)，即正向和反向擊穿(chuan)(chuan)電壓相等。由于(yu)這個原因，它們被用(yong)于(yu)交流電路。