一、IGBT功率模塊多少錢一個

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gou)成的功(gong)(gong)率模(mo)塊，具(ju)有(you)輸入(ru)阻抗(kang)大、驅(qu)動功(gong)(gong)率小、控制電路簡單、開關損耗小、通斷(duan)速(su)度(du)快(kuai)、工作頻率高等(deng)優(you)點(dian)，那(nei)么IGBT功(gong)(gong)率模(mo)塊的價格是多少呢？

一般(ban)一個IGBT功率模塊，其價格主(zhu)要受到(dao)它的(de)生產廠家、電壓(ya)電流等(deng)參(can)數(shu)、設計、性能等(deng)因素的(de)影(ying)響，市場(chang)價從一兩百元(yuan)一個到(dao)兩三(san)千元(yuan)一個的(de)都(dou)有。（以上價格來源網絡(luo)，僅供參(can)考）

二、igbt模塊怎么選型

igbt模(mo)塊(kuai)在選型時，主(zhu)要考慮以下(xia)三個(ge)方面：

1、IGBT額定電壓的選擇

三相(xiang)380V輸入電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)經過整(zheng)流(liu)和濾波后，直(zhi)流(liu)母線(xian)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)最大值：在開關(guan)工作的(de)條件下(xia)，IGBT的(de)額定電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)一般(ban)要求高于(yu)直(zhi)流(liu)母線(xian)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)兩(liang)倍，根據IGBT規格的(de)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)等級(ji)，選(xuan)擇(ze)1200V電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)等級(ji)的(de)IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻(pin)器為(wei)例，負載(zai)電流(liu)約(yue)為(wei)79A，由(you)于負載(zai)電氣啟動或加(jia)速(su)時，電流(liu)過載(zai)，一(yi)般要(yao)求1分鐘的(de)時間(jian)內，承(cheng)受1.5倍的(de)過流(liu)，擇(ze)(ze)最大負載(zai)電流(liu)約(yue)為(wei)119A，建議選擇(ze)(ze)150A電流(liu)等級的(de)IGBT。

3、IGBT開關參數的選擇

變(bian)頻器的(de)(de)開關頻率一般小于10kHZ，而(er)在(zai)實際工作的(de)(de)過程中，IGBT的(de)(de)通(tong)態損耗所占比重比較大，建(jian)議選擇低通(tong)態型IGBT。

三、IGBT選型四個基本要求

igbt選型(xing)時，還要(yao)考慮是否(fou)符合下面四個基本(ben)要(yao)求(qiu)：

1、安全工作區

在(zai)安全(quan)(quan)上(shang)面，主要指(zhi)的(de)(de)(de)(de)就是(shi)(shi)電的(de)(de)(de)(de)特性(xing)，除了(le)常規的(de)(de)(de)(de)變(bian)壓電流以(yi)外，還(huan)有(you)RBSOA（反向偏置(zhi)安全(quan)(quan)工(gong)作區）和(he)(he)短路時(shi)候(hou)的(de)(de)(de)(de)保護。這(zhe)(zhe)個(ge)是(shi)(shi)開通(tong)和(he)(he)關斷時(shi)候(hou)的(de)(de)(de)(de)波形，這(zhe)(zhe)個(ge)是(shi)(shi)相關的(de)(de)(de)(de)開通(tong)和(he)(he)關斷時(shi)候(hou)的(de)(de)(de)(de)定義。我(wo)們做設計時(shi)結(jie)溫(wen)(wen)的(de)(de)(de)(de)要求，比如長期工(gong)作必須(xu)保證溫(wen)(wen)度(du)在(zai)安全(quan)(quan)結(jie)溫(wen)(wen)之內，做到這(zhe)(zhe)個(ge)保證的(de)(de)(de)(de)前(qian)提是(shi)(shi)需要把這(zhe)(zhe)個(ge)模塊相關的(de)(de)(de)(de)應用參(can)數提供出來。這(zhe)(zhe)樣結(jie)合這(zhe)(zhe)個(ge)參(can)數以(yi)后(hou)，結(jie)合選擇的(de)(de)(de)(de)IGBT的(de)(de)(de)(de)芯(xin)片，還(huan)有(you)封裝和(he)(he)電流，來計算產品的(de)(de)(de)(de)功耗(hao)和(he)(he)結(jie)溫(wen)(wen)，是(shi)(shi)否滿足安全(quan)(quan)結(jie)溫(wen)(wen)的(de)(de)(de)(de)需求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的(de)可(ke)靠性，就是壽(shou)命問題。你可(ke)以看到50赫茲波動量非常小(xiao)，這個(ge)壽(shou)命才長。

3、封裝要求

封裝(zhuang)要求(qiu)主要體現在外部(bu)封裝(zhuang)材料上面，在結(jie)(jie)構(gou)上面，其(qi)實也會(hui)和封裝(zhuang)相關，因為設計的(de)時候會(hui)布(bu)局和結(jie)(jie)構(gou)的(de)問題，不(bu)同的(de)設計它的(de)差異性很大。

4、可靠性要求

可靠(kao)性(xing)問題，前面說到了(le)結(jie)溫波動，其(qi)中最(zui)擔心(xin)就是(shi)結(jie)溫波動以后，會(hui)(hui)(hui)影(ying)響(xiang)到這(zhe)(zhe)個(ge)綁定線和硅片之(zhi)間的(de)(de)焊接，時間久(jiu)了(le)，這(zhe)(zhe)兩種材(cai)(cai)料(liao)本身之(zhi)間的(de)(de)熱抗系(xi)數都(dou)有(you)差異(yi)，所以在(zai)結(jie)溫波動情況下，長時間下來，如(ru)果(guo)工藝不好的(de)(de)話，就會(hui)(hui)(hui)出(chu)現(xian)裂痕甚至(zhi)斷裂，這(zhe)(zhe)樣就會(hui)(hui)(hui)影(ying)響(xiang)保(bao)護壓降，進一步(bu)導致IGBT失(shi)效(xiao)。第二個(ge)就是(shi)熱循環(huan)，主要體現(xian)在(zai)硅片和DCB這(zhe)(zhe)個(ge)材(cai)(cai)料(liao)之(zhi)間，他(ta)們之(zhi)間的(de)(de)差異(yi)性(xing)。