一、igbt的優點和缺點有哪些

IGBT?就是(shi)絕緣柵雙極晶(jing)體管，它主(zhu)要用于多(duo)種(zhong)電(dian)子設備中的(de)高效快速(su)開關的(de)場景(jing)中，兼有BJT和MOS管的(de)好處(chu)，它的(de)優點(dian)和缺點(dian)都是(shi)很明顯(xian)的(de)：

1、igbt的優點

（1）具有(you)較高的(de)電(dian)(dian)壓和電(dian)(dian)流處理能(neng)力、極高的(de)輸入(ru)阻抗。

（2）可(ke)以使用非(fei)常(chang)低的電壓切換(huan)非(fei)常(chang)高的電流。

（3）具有電(dian)壓(ya)控制裝置，沒(mei)有輸(shu)入電(dian)流和低輸(shu)入損耗(hao)。

（4）柵(zha)極驅動(dong)(dong)電路(lu)簡(jian)單且便宜，降(jiang)低了柵(zha)極驅動(dong)(dong)的要求。

（5）通過施加正(zheng)電(dian)壓可(ke)(ke)以(yi)很容(rong)易地(di)打開它，通過施加零(ling)電(dian)壓或(huo)稍(shao)微(wei)負電(dian)壓可(ke)(ke)以(yi)很容(rong)易地(di)關閉它。

（6）具有非常低的導通電(dian)阻(zu)。

（7）具(ju)有(you)高電流密(mi)度，使其能夠具(ju)有(you)更(geng)小的芯(xin)片尺寸。

（8）具(ju)有比BJT和MOS管(guan)更高(gao)的功率(lv)增益。

（9）具(ju)有比BJT更高(gao)的(de)開關(guan)速度(du)。

（10）可(ke)以使用低控制電壓切換高電流(liu)電平(ping)。

（11）具有雙(shuang)極性質，增(zeng)強了傳導性。

（12）安全(quan)可靠(kao)。

2、igbt的缺點

（1）開關(guan)速度(du)低于MOS管(guan)。

（2）因為是單向的(de)，在沒有(you)附加(jia)電路的(de)情況下無法處理(li)AC波形。

（3）不(bu)能阻擋更高的反向(xiang)電壓。

（4）比BJT和MOS管價(jia)格更高。

（5）類似于晶閘管的(de)P-N-P-N結(jie)構，因(yin)此它存在(zai)鎖存問題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有良(liang)好的功率(lv)特(te)性，其重(zhong)復性能優于(yu)MOSFET，可(ke)實現(xian)高效的恒定功率(lv)輸出，有利(li)于(yu)提高整個系統(tong)的工作效率(lv)。

2、控制特性

IGBT具(ju)有良好的控制(zhi)(zhi)特(te)性，其(qi)輸入(ru)電(dian)(dian)壓(ya)范圍較寬(kuan)，可實現電(dian)(dian)壓(ya)控制(zhi)(zhi)調(diao)節，可以有效抑制(zhi)(zhi)電(dian)(dian)壓(ya)波動。

3、可靠性

IGBT具(ju)有(you)良(liang)好(hao)的(de)可靠性(xing)(xing)(xing)，具(ju)有(you)抗電磁干擾能力強、抗溫度(du)變化性(xing)(xing)(xing)能好(hao)和(he)耐久性(xing)(xing)(xing)高等優點，可以(yi)長期穩定運行。

4、結構特性

IGBT有(you)著緊湊的結構，體積小，可以降低整個(ge)系統的體積，有(you)利于(yu)系統的自動化程度的提高。

三、igbt的主要參數

1、電壓限制：IGBT的電壓(ya)范圍一(yi)般在600V-6.5kV之(zhi)間。

2、功率限制：IGBT的(de)功率范圍一般在(zai)1W-15MW之間(jian)。

3、漏電流：IGBT的漏電流比(bi)MOSFET要小得多(duo)，一(yi)般在(zai)1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的損耗一般比MOSFET要低，可以達到1W-15MW之間。

5、熱效應：IGBT的熱效應比MOSFET要(yao)小，可(ke)以達(da)到20°C-150°C之間。

6、反應時間：IGBT的反應(ying)時間(jian)一般比MOSFET要快，可以達到1ns-50ns之(zhi)間(jian)。