一、igbt是什么意思

igbt是(shi)英文(wen)Insulated Gate Bipolar Transistor的首字母縮寫，翻譯(yi)過來的中文(wen)全稱是(shi)絕緣柵(zha)雙極型(xing)晶(jing)體(ti)管，是(shi)由(you)雙極型(xing)三極管和絕緣柵(zha)型(xing)場效應管組成的復(fu)合全控型(xing)電(dian)壓驅動式(shi)功率半導體(ti)器(qi)件，是(shi)能(neng)源變(bian)換與傳輸的核心器(qi)件。

IGBT俗稱電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子裝(zhuang)置的“CPU”，具有驅動功率小(xiao)而飽和壓(ya)降(jiang)低的優點，非常(chang)適(shi)合應(ying)用于(yu)直流(liu)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)為600V及以上的變(bian)流(liu)系統(tong)如(ru)交(jiao)流(liu)電(dian)(dian)(dian)機、變(bian)頻器、開關電(dian)(dian)(dian)源(yuan)、照明電(dian)(dian)(dian)路(lu)、牽(qian)引傳動等領(ling)域(yu)，作為國家戰略性(xing)新(xin)興(xing)產業，在軌道交(jiao)通、智(zhi)能電(dian)(dian)(dian)網、航空航天、電(dian)(dian)(dian)動汽車與新(xin)能源(yuan)裝(zhuang)備等領(ling)域(yu)應(ying)用極廣。

二、IGBT模塊是什么意思

IGBT是一種半導體器件(jian)，應用(yong)于(yu)高(gao)功率、高(gao)頻率的電(dian)力電(dian)子設備中，igbt模(mo)塊則是由(you)多個IGBT芯片、驅動電(dian)路、保護電(dian)路、散熱器、連接器等(deng)組(zu)成的模(mo)塊化電(dian)子元件(jian)。

IGBT模塊具有節能、安裝(zhuang)維修方(fang)便、散熱穩定等特(te)點，封裝(zhuang)后的IGBT模塊直接應用(yong)于變(bian)頻(pin)器、UPS不間(jian)斷電源等設備上(shang)。

IGBT芯片通常不會單(dan)獨使(shi)用，而(er)是模塊化(hua)使(shi)用，模塊化(hua)處(chu)理通過(guo)內(nei)部的(de)絕緣隔離(li)結構，使(shi)IGBT芯片與外界(jie)隔離(li)，以防止外界(jie)的(de)干擾和電磁干擾。同(tong)時，模塊內(nei)部的(de)驅動電路和保(bao)護電路可以有效地(di)控制和保(bao)護IGBT芯片，提高設備的(de)可靠性和安全性。

三、什么是IGBT功率模塊

IGBT功率模(mo)(mo)塊(kuai)采用(yong)IC驅(qu)動(dong)(dong)，各種(zhong)驅(qu)動(dong)(dong)保護電(dian)(dian)(dian)(dian)路，高性能(neng)IGBT芯片，新型封(feng)裝(zhuang)(zhuang)技術，從復合功率模(mo)(mo)塊(kuai)PIM發展(zhan)到智(zhi)能(neng)功率模(mo)(mo)塊(kuai)IPM、電(dian)(dian)(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)(dian)(dian)子積(ji)木PEBB、電(dian)(dian)(dian)(dian)力(li)模(mo)(mo)塊(kuai)IPEM。PIM向高壓大電(dian)(dian)(dian)(dian)流發展(zhan)，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用(yong)于變頻調速(su)外(wai)，600A/2000V的(de)IPM已用(yong)于電(dian)(dian)(dian)(dian)力(li)機車VVVF逆變器。平面低電(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)技術是大電(dian)(dian)(dian)(dian)流IGBT模(mo)(mo)塊(kuai)為有(you)源器件(jian)的(de)PEBB，用(yong)于艦艇(ting)上(shang)的(de)導(dao)彈發射裝(zhuang)(zhuang)置(zhi)。IPEM采用(yong)共燒瓷(ci)片多芯片模(mo)(mo)塊(kuai)技術組(zu)裝(zhuang)(zhuang)PEBB，大大降低電(dian)(dian)(dian)(dian)路接(jie)線電(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)，進步(bu)系統效率，現已開發成功第(di)二(er)代IPEM，其中(zhong)所有(you)的(de)無源元(yuan)件(jian)以埋層方式掩埋在襯底中(zhong)。智(zhi)能(neng)化、模(mo)(mo)塊(kuai)化成為IGBT發展(zhan)熱(re)門。