一、KrF光刻膠是什么

光刻膠根據不(bu)(bu)同(tong)的(de)曝(pu)光(guang)光(guang)源分為不(bu)(bu)同(tong)的(de)類(lei)型(xing)，曝(pu)光(guang)光(guang)源從(cong)寬譜紫外線(xian)發展到I線(xian)（365nm）、KrF線(xian)（248nm）、ArF線(xian)（193nm）以(yi)及EUV（13.5nm）光(guang)源，而(er)不(bu)(bu)同(tong)的(de)光(guang)源要(yao)求使(shi)用(yong)不(bu)(bu)同(tong)的(de)光(guang)刻膠(jiao)。KrF光(guang)刻膠(jiao)就是運用(yong)KrF（248nm）曝(pu)光(guang)光(guang)源時所需要(yao)的(de)光(guang)刻膠(jiao)。KrF光(guang)刻膠(jiao)主(zhu)要(yao)應用(yong)于(yu)0.13m以(yi)上線(xian)寬，包含離(li)子注入層(ceng)，抗(kang)刻蝕層(ceng)等多種工藝中。

二、arf光刻膠是什么

ArF光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)，是半導(dao)體光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)的(de)一種，屬于高(gao)(gao)端光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)產(chan)(chan)品(pin)(pin)，用來制造12英(ying)寸大(da)硅(gui)片（硅(gui)晶圓）。在(zai)(zai)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)產(chan)(chan)品(pin)(pin)中，半導(dao)體光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)技(ji)術(shu)壁壘(lei)最高(gao)(gao)；在(zai)(zai)半導(dao)體光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)產(chan)(chan)品(pin)(pin)中，ArF光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)是技(ji)術(shu)含(han)量最高(gao)(gao)的(de)產(chan)(chan)品(pin)(pin)之一。ArF光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)是第四代光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)，行(xing)業(ye)進入技(ji)術(shu)壁壘(lei)高(gao)(gao)，全球量產(chan)(chan)企業(ye)數量少。

三、krf光刻膠和arf光刻膠區別

krF光刻膠與ArF光刻膠都主要用于半導體領域，二者最大區別是光刻膠的光(guang)(guang)源(yuan)(yuan)波(bo)長(chang)(chang)不(bu)同(tong)，其中krf波(bo)長(chang)(chang)為248nm，arf波(bo)長(chang)(chang)為193nm，arf光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠的分辨(bian)率更好(hao)，技術含量更高。arf和krf都(dou)屬于深紫外光(guang)(guang)范疇，也(ye)都(dou)是(shi)duv光(guang)(guang)刻(ke)(ke)機應用光(guang)(guang)源(yuan)(yuan)，但是(shi)光(guang)(guang)源(yuan)(yuan)技術上(shang)相差一代。另外，由于光(guang)(guang)源(yuan)(yuan)波(bo)長(chang)(chang)不(bu)同(tong)，krf光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠和arf光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠也(ye)不(bu)能通用。