一、euv光刻膠是什么

euv光刻膠也稱(cheng)極(ji)紫(zi)外(wai)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻膠或EUVL，是一種使(shi)用(yong)極(ji)紫(zi)外(wai)（EUV）波長的下(xia)一代(dai)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻技術。EUV光(guang)(guang)(guang)(guang)刻膠采用(yong)波長為10-14納米的極(ji)紫(zi)外(wai)光(guang)(guang)(guang)(guang)作為光(guang)(guang)(guang)(guang)源，可使(shi)曝光(guang)(guang)(guang)(guang)波長一下(xia)子降到13.5nm，它能夠把(ba)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻技術擴展到32nm以(yi)下(xia)的特征尺寸。

二、euv光刻膠的缺點

EUV光刻膠用(yong)于(yu)晶圓廠的(de)(de)芯片生產，它使用(yong)一個(ge)巨大的(de)(de)掃(sao)描(miao)儀在(zai)高(gao)級(ji)節點上對芯片的(de)(de)微小特征進行(xing)圖(tu)案化(hua)，在(zai)操作中，EUV的(de)(de)掃(sao)描(miao)儀產生光(guang)子，最終與(yu)晶圓上的(de)(de)光(guang)敏(min)材料光(guang)刻(ke)膠相互作用(yong)，以形(xing)成精確的(de)(de)特征化(hua)圖(tu)案。

不(bu)(bu)過，并不(bu)(bu)是(shi)(shi)(shi)每次(ci)都可(ke)以實現精確(que)圖案(an)(an)化(hua)，在EUV中，光子撞擊光刻(ke)膠發生(sheng)反應且這一動(dong)作重復多(duo)次(ci)，這些過程充(chong)滿(man)不(bu)(bu)可(ke)預測性(xing)和隨(sui)機(ji)性(xing)，可(ke)能(neng)會產生(sheng)新的(de)反應，也就是(shi)(shi)(shi)說EUV光刻(ke)工(gong)藝容易出現所(suo)謂(wei)的(de)隨(sui)機(ji)性(xing)，是(shi)(shi)(shi)具有(you)隨(sui)機(ji)變量(liang)的(de)事件，這些變化(hua)被統稱為(wei)隨(sui)機(ji)效(xiao)(xiao)應。隨(sui)機(ji)效(xiao)(xiao)應有(you)時會導(dao)致芯片(pian)中出現不(bu)(bu)必要的(de)接觸缺陷或有(you)粗糙度(du)的(de)圖案(an)(an)，兩者都會影(ying)響芯片(pian)的(de)性(xing)能(neng)，甚至(zhi)導(dao)致設備出現故(gu)障。

在操作中，EUV掃描儀應該在芯片中創建各種圖案，例如(ru)微小的接(jie)觸孔、線(xian)條和通孔，并且具有良好的均勻性(xing)。但有時，掃描儀可能無(wu)(wu)法圖案化所需(xu)線(xian)條，出(chu)現換行符(fu)，無(wu)(wu)法打印每一個(ge)接(jie)觸孔，出(chu)現缺失接(jie)觸，其他情況下，該過程還(huan)會(hui)導致一個(ge)或(huo)多個(ge)孔合并，出(chu)現“接(jie)吻(wen)接(jie)觸”。

換行符、缺失接(jie)觸和接(jie)吻接(jie)觸都被認(ren)為是隨(sui)機效(xiao)應引起(qi)的缺陷，另一個隨(sui)機效(xiao)應是線邊緣粗糙(cao)度（LER）。LER被定(ding)義為特征(zheng)(zheng)邊緣與理想形(xing)狀(zhuang)的偏差，不隨(sui)特征(zheng)(zheng)大小而縮放，因此是有(you)問題的。