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1、顯卡(ka)芯(xin)片：顯卡(ka)核(he)心型號差一(yi)檔，性(xing)能也(ye)就(jiu)差了一(yi)檔，所以(yi)可根(gen)據核(he)心型號來判斷顯卡(ka)的(de)高(gao)低，例如(ru)，N卡(ka)型號的(de)前綴一(yi)共有GTX > GTS > GT > GF，其后(hou)(hou)的(de)兩位(wei)數或(huo)一(yi)位(wei)數代表(biao)代數，再其后(hou)(hou)兩位(wei)數越大(da)，表(biao)示(shi)同(tong)代中的(de)性(xing)能就(jiu)越強，后(hou)(hou)綴有Ti、SE、M、MX，分別表(biao)示(shi)加強版(ban)(ban)、閹割版(ban)(ban)、移(yi)動版(ban)(ban)、移(yi)動加強版(ban)(ban)。

2、流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)器：流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)器是顯卡(ka)的(de)(de)核心，直接影響處(chu)(chu)理(li)(li)能(neng)力(li)，對于N卡(ka)和A卡(ka)來說，流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元個(ge)數(shu)越(yue)多(duo)則(ze)處(chu)(chu)理(li)(li)能(neng)力(li)越(yue)強。N卡(ka)和A卡(ka)的(de)(de)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元可采取(qu)近似比(bi)較，N卡(ka)的(de)(de)1個(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元相當于AMD的(de)(de)5個(ge)流(liu)處(chu)(chu)理(li)(li)單(dan)元。

3、顯存位(wei)寬：顯存位(wei)寬表示一個(ge)時鐘(zhong)周期(qi)內(nei)所能傳送數據的位(wei)數，位(wei)數越(yue)大則傳輸量(liang)越(yue)大，常見的有64位(wei)、128位(wei)和256位(wei)顯卡。在顯存頻率相當情(qing)況下，顯存位(wei)寬決(jue)定(ding)著帶寬的大小。

4、顯存類型：顯存類型主(zhu)要有(you)SDRAM，DDR SDRAM，DDR SGRAM三種，SDRAM顆粒(li)主(zhu)要應用在低端顯卡上，頻率一般不超過200MHz；DDR SDRAM是(shi)主(zhu)流(liu)；DDR SGRAM適合繪圖(tu)專(zhuan)用。

5、散熱(re)設計：散熱(re)系統的好壞直(zhi)接(jie)決定了性(xing)能(neng)發揮的穩(wen)定性(xing)，被動式噪音低，適(shi)合(he)低頻(pin)率顯卡(ka)；主動式有(you)散熱(re)片和風(feng)扇(shan)，適(shi)合(he)高頻(pin)率顯卡(ka)；導流式適(shi)合(he)高檔(dang)游戲(xi)顯卡(ka)。