一、igbt工作原理是什么

IGBT是(shi)絕緣柵(zha)雙(shuang)極(ji)(ji)(ji)晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)英文(wen)簡稱，是(shi)一(yi)種三端(duan)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)開(kai)(kai)關的(de)(de)(de)器件(jian)，一(yi)般igbt結構(gou)(gou)相當于一(yi)個(ge)四層半(ban)導(dao)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)器件(jian)，四層器件(jian)通(tong)(tong)過組合(he)(he)PNP和(he)NPN晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)構(gou)(gou)成了P-N-P-N排列；igbt模塊則由散(san)熱基(ji)(ji)板(ban)、DBC基(ji)(ji)板(ban)、IGBT芯片、Diode芯片以及(ji)鍵(jian)合(he)(he)線組成。IGBT作為一(yi)種功率(lv)晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)，主(zhu)要(yao)用于變(bian)頻(pin)器逆(ni)變(bian)和(he)其他逆(ni)變(bian)電(dian)路，將直流電(dian)壓(ya)(ya)逆(ni)變(bian)成頻(pin)率(lv)可調的(de)(de)(de)交流電(dian)，其工作原理是(shi)通(tong)(tong)過不(bu)斷(duan)激活和(he)停(ting)用其柵(zha)極(ji)(ji)(ji)端(duan)子來開(kai)(kai)啟(qi)、關閉：IGBT的(de)(de)(de)開(kai)(kai)關作用是(shi)通(tong)(tong)過加正向(xiang)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)(ya)形成溝道(dao)，給PNP晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)提供(gong)基(ji)(ji)極(ji)(ji)(ji)電(dian)流，使(shi)IGBT導(dao)通(tong)(tong)。反之(zhi)，加反向(xiang)門極(ji)(ji)(ji)電(dian)壓(ya)(ya)消除溝道(dao)，切斷(duan)基(ji)(ji)極(ji)(ji)(ji)電(dian)，使(shi)IGBT關斷(duan)。若在IGBT的(de)(de)(de)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)發射極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)加上驅動正電(dian)壓(ya)(ya)，則MOSFET導(dao)通(tong)(tong)，這樣PNP晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)(de)集電(dian)極(ji)(ji)(ji)與基(ji)(ji)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)成低阻狀態(tai)而使(shi)得晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)導(dao)通(tong)(tong);若IGBT的(de)(de)(de)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)和(he)發射極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)電(dian)壓(ya)(ya)為0V，則MOSFET截止(zhi)，切斷(duan)PNP晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)基(ji)(ji)極(ji)(ji)(ji)電(dian)流的(de)(de)(de)供(gong)給，使(shi)得晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)截止(zhi)。

二、igbt的作用和功能

IGBT的主要作用是可以很容易地將輸入的高壓直流電流轉換為高壓交流電，只需通過脈寬調制即可實現變頻控制，它通過十幾伏的門極控制信號，即可實現kV級電壓和kA級電流的控制，開關頻率可達每秒幾萬次，具有高電壓、大電流、高頻率、低導通壓降等特點，廣泛應用于新能源汽車的電動控制系統、車載空調控制系統以及充電樁領域，智能電網的發電端、輸電端、變電端、用電端，軌道交通的交流傳動系統等領域。如果您需要采購igbt芯片或igbt模塊，可以先來看看IGBT十大品牌。

三、igbt芯片和igbt模塊的區別

IGBT芯(xin)(xin)(xin)片(pian)是(shi)(shi)(shi)絕緣柵雙極(ji)型晶體管芯(xin)(xin)(xin)片(pian)，是(shi)(shi)(shi)一(yi)種復(fu)合全控(kong)型電(dian)壓驅動(dong)式功率半導體器件(jian)，被稱(cheng)為(wei)(wei)“電(dian)力電(dian)子裝(zhuang)置的(de)(de)(de)CPU”，它和(he)igbt模塊統稱(cheng)igbt，不過igbt芯(xin)(xin)(xin)片(pian)和(he)igbt模塊還是(shi)(shi)(shi)有所(suo)不同的(de)(de)(de)，簡(jian)單(dan)來說(shuo)，IGBT芯(xin)(xin)(xin)片(pian)就是(shi)(shi)(shi)一(yi)塊封裝(zhuang)好(hao)的(de)(de)(de)絕緣柵雙極(ji)型晶體管芯(xin)(xin)(xin)片(pian)，而igbt模塊是(shi)(shi)(shi)由多個IGBT芯(xin)(xin)(xin)片(pian)、反并聯二極(ji)管、驅動(dong)電(dian)路(lu)、保護電(dian)路(lu)等組成(cheng)的(de)(de)(de)集成(cheng)模塊。一(yi)般(ban)來說(shuo)，IGBT芯(xin)(xin)(xin)片(pian)不會單(dan)獨使用(yong)，而是(shi)(shi)(shi)組裝(zhuang)成(cheng)igbt模塊再使用(yong)，因為(wei)(wei)IGBT模塊具有節能、安裝(zhuang)維修方便、散(san)熱穩定(ding)等特(te)點，當前市(shi)場上(shang)銷(xiao)售的(de)(de)(de)多為(wei)(wei)模塊化產品，一(yi)般(ban)所(suo)說(shuo)的(de)(de)(de)IGBT也指IGBT模塊。

四、igbt模塊怎么測量好壞

igbt模(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)損(sun)(sun)壞一(yi)(yi)(yi)般(ban)(ban)常見(jian)的(de)(de)(de)原因有(you)過電(dian)(dian)(dian)流(liu)損(sun)(sun)壞、過電(dian)(dian)(dian)壓損(sun)(sun)壞、靜電(dian)(dian)(dian)損(sun)(sun)壞、過熱損(sun)(sun)壞、機械應(ying)力對(dui)產品的(de)(de)(de)破壞等，判斷(duan)IGBT模(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)是(shi)否損(sun)(sun)壞，一(yi)(yi)(yi)般(ban)(ban)需要先對(dui)其進行檢測(ce)，igbt模(mo)塊(kuai)(kuai)(kuai)的(de)(de)(de)檢測(ce)一(yi)(yi)(yi)般(ban)(ban)分為(wei)(wei)兩(liang)(liang)部分：1、判斷(duan)極(ji)(ji)(ji)(ji)性：首先將萬用(yong)(yong)表(biao)(biao)撥在R×1KΩ擋，用(yong)(yong)萬用(yong)(yong)表(biao)(biao)測(ce)量時(shi)(shi)，若(ruo)某一(yi)(yi)(yi)極(ji)(ji)(ji)(ji)與(yu)其它兩(liang)(liang)極(ji)(ji)(ji)(ji)阻值(zhi)(zhi)為(wei)(wei)無(wu)窮大(da)，調(diao)換(huan)表(biao)(biao)筆(bi)(bi)后該極(ji)(ji)(ji)(ji)與(yu)其它兩(liang)(liang)極(ji)(ji)(ji)(ji)的(de)(de)(de)阻值(zhi)(zhi)仍為(wei)(wei)無(wu)窮大(da)，則(ze)判斷(duan)此(ci)極(ji)(ji)(ji)(ji)為(wei)(wei)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)（G），其余兩(liang)(liang)極(ji)(ji)(ji)(ji)再用(yong)(yong)萬用(yong)(yong)表(biao)(biao)測(ce)量，若(ruo)測(ce)得(de)阻值(zhi)(zhi)為(wei)(wei)無(wu)窮大(da)，調(diao)換(huan)表(biao)(biao)筆(bi)(bi)后測(ce)量阻值(zhi)(zhi)較(jiao)小。在測(ce)量阻值(zhi)(zhi)較(jiao)小的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)次中，則(ze)判斷(duan)紅(hong)表(biao)(biao)筆(bi)(bi)接(jie)的(de)(de)(de)為(wei)(wei)集電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)（C）；黑(hei)表(biao)(biao)筆(bi)(bi)接(jie)地為(wei)(wei)發(fa)射極(ji)(ji)(ji)(ji)（E）。2、判斷(duan)好壞：將萬用(yong)(yong)表(biao)(biao)撥在R×10KΩ擋，用(yong)(yong)黑(hei)表(biao)(biao)筆(bi)(bi)接(jie)IGBT的(de)(de)(de)集電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)（C），紅(hong)表(biao)(biao)筆(bi)(bi)接(jie)IGBT 的(de)(de)(de)發(fa)射極(ji)(ji)(ji)(ji)（E），此(ci)時(shi)(shi)萬用(yong)(yong)表(biao)(biao)的(de)(de)(de)指(zhi)(zhi)針在零位(wei)。用(yong)(yong)手(shou)指(zhi)(zhi)同時(shi)(shi)觸(chu)及一(yi)(yi)(yi)下柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)（G）和集電(dian)(dian)(dian)極(ji)(ji)(ji)(ji)（C），這(zhe)時(shi)(shi)IGBT被觸(chu)發(fa)導通(tong)，萬用(yong)(yong)表(biao)(biao)的(de)(de)(de)指(zhi)(zhi)針擺(bai)向(xiang)阻值(zhi)(zhi)較(jiao)小的(de)(de)(de)方向(xiang)，并能(neng)站住(zhu)指(zhi)(zhi)示在某一(yi)(yi)(yi)位(wei)置。然(ran)后再用(yong)(yong)手(shou)指(zhi)(zhi)同時(shi)(shi)觸(chu)及一(yi)(yi)(yi)下柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)（G）和發(fa)射極(ji)(ji)(ji)(ji)（E），這(zhe)時(shi)(shi)IGBT被阻斷(duan)，萬用(yong)(yong)表(biao)(biao)的(de)(de)(de)指(zhi)(zhi)針回零。此(ci)時(shi)(shi)即可判斷(duan)IGBT是(shi)好的(de)(de)(de)。