一、硅片拋光片與外延片區別是什么
根據用途分類，半導體硅片可分為拋光片、退火片、外延片、結隔離片和以SOI硅片為代表的高端硅片。那么硅片拋光片與外延片區(qu)別是(shi)什么呢？
拋(pao)(pao)光片(pian)可(ke)以(yi)用(yong)(yong)于(yu)(yu)制(zhi)作存儲芯(xin)片(pian)，功率器(qi)件，以(yi)及外延(yan)片(pian)的襯(chen)底(di)材料。外延(yan)片(pian)，是在拋(pao)(pao)光片(pian)的基礎上(shang)生長(chang)了(le)一(yi)層(ceng)單晶硅，一(yi)般用(yong)(yong)于(yu)(yu)通用(yong)(yong)處理器(qi)芯(xin)片(pian)，二極管，以(yi)及igbt功率器(qi)件的制(zhi)造。由于(yu)(yu)拋(pao)(pao)光原始顆粒(li)細(xi)微、粒(li)度尺寸小于(yu)(yu)可(ke)見光的波長(chang)，所以(yi)均勻(yun)地(di)分布后形成(cheng)外觀透明(ming)或半透明(ming)的拋(pao)(pao)光膜。
二、硅片拋光片用于哪里
拋光片(pian)是用量最(zui)大的產品(pin)，其他的硅片(pian)產品(pin)都是在拋光片(pian)的基礎上二次加(jia)工產生的。
拋光片是最基礎、應用范圍最廣的硅片。拋光片可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片等其他類型硅片的襯底材料。
隨著集成(cheng)電路特征線(xian)寬的(de)不斷縮小，光刻精度(du)(du)日益精細，硅(gui)片上(shang)極其微小的(de)不平(ping)整都會造成(cheng)集成(cheng)電路圖形的(de)形變和錯位(wei)，硅(gui)片制造技術(shu)面臨越來越高的(de)要求和挑戰(zhan)，硅(gui)片表面顆粒度(du)(du)和潔凈度(du)(du)對(dui)半導體產(chan)品的(de)良率也(ye)有(you)直接影響。
因此，拋光(guang)工藝對提高硅片(pian)表面的(de)平整度(du)和(he)清潔度(du)至關重(zhong)要(yao)，主要(yao)原理為通過(guo)去除加(jia)工表面殘(can)留的(de)損傷層，實現半導體硅片(pian)表面平坦化，減小粗糙度(du)。
