一、太陽能硅片N型和P型的區別在哪里
N型(xing)(xing)電池(chi)片(pian)(pian)采用n型(xing)(xing)硅(gui)片(pian)(pian)，P型(xing)(xing)電池(chi)片(pian)(pian)采用p型(xing)(xing)硅(gui)片(pian)(pian)。
N型(xing)和P型(xing)單晶硅片的區(qu)別主要為(wei)：
1、摻雜的元素不同：單(dan)晶硅中摻(chan)(chan)磷是(shi)N型，單(dan)晶硅中摻(chan)(chan)硼為(wei)P型。
2、導電不同：N型是電子導電，P型是空穴導電。
二、太陽能硅片制作流程是怎么樣的
太陽能硅(gui)片(pian)的生產工(gong)藝流(liu)程分為硅(gui)片(pian)檢測--表面制(zhi)(zhi)絨(rong)及酸洗--擴散制(zhi)(zhi)結--去(qu)磷硅(gui)玻璃(li)--等(deng)離子刻蝕及酸洗--鍍減反射膜--絲網印刷--快(kuai)速燒結等(deng)。具體介紹如下:
1、硅片檢測(ce)，硅(gui)片(pian)(pian)(pian)質量的好壞直接決定了太陽能電池片(pian)(pian)(pian)轉換效率(lv)的高(gao)低，因此需要(yao)對來料(liao)硅(gui)片(pian)(pian)(pian)進(jin)行檢測(ce)。在進(jin)行少子(zi)壽命和(he)(he)電阻率(lv)檢測(ce)之前，需要(yao)先對硅(gui)片(pian)(pian)(pian)的對角線(xian)、微裂紋進(jin)行檢測(ce)，并(bing)(bing)自(zi)動剔除破損硅(gui)片(pian)(pian)(pian)。硅(gui)片(pian)(pian)(pian)檢測(ce)設備能夠自(zi)動裝(zhuang)片(pian)(pian)(pian)和(he)(he)卸片(pian)(pian)(pian)，并(bing)(bing)且能夠將(jiang)不合格品(pin)放到固定位置(zhi)，從而提(ti)高(gao)檢測(ce)精(jing)度和(he)(he)效率(lv)。
2、表面(mian)(mian)(mian)制(zhi)絨，單(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)絨面(mian)(mian)(mian)的(de)制(zhi)備是(shi)利用(yong)硅(gui)(gui)的(de)各向異(yi)性(xing)腐(fu)蝕，在每平(ping)方厘米硅(gui)(gui)表面(mian)(mian)(mian)形(xing)成幾百萬個四面(mian)(mian)(mian)方錐體也即金(jin)字(zi)塔結構。制(zhi)備絨面(mian)(mian)(mian)前，硅(gui)(gui)片須先進(jin)行初(chu)步表面(mian)(mian)(mian)腐(fu)蝕，用(yong)堿性(xing)或酸(suan)性(xing)腐(fu)蝕液蝕去約20~25μm，在腐(fu)蝕絨面(mian)(mian)(mian)后，進(jin)行一(yi)般的(de)化學清洗。經過表面(mian)(mian)(mian)準(zhun)備的(de)硅(gui)(gui)片都(dou)不宜(yi)在水中久存，以防沾污(wu)，應盡快(kuai)擴散制(zhi)結。
3、擴(kuo)(kuo)散(san)制結，太(tai)陽能電池需(xu)要一個大(da)面積的(de)PN結以實(shi)現光能到電能的(de)轉換，而擴(kuo)(kuo)散(san)爐即為制造太(tai)陽能電池PN結的(de)專用設備。管式擴(kuo)(kuo)散(san)爐主要由石英舟(zhou)的(de)上下載部分、廢氣室、爐體部分和(he)氣柜部分等四大(da)部分組成(cheng)(cheng)。擴(kuo)(kuo)散(san)一般(ban)用三(san)氯(lv)氧磷(lin)液態源作(zuo)為擴(kuo)(kuo)散(san)源。制造PN結是(shi)太(tai)陽電池生(sheng)產最基(ji)本(ben)也是(shi)最關(guan)鍵(jian)的(de)工序。因(yin)為正是(shi)PN結的(de)形成(cheng)(cheng)，才使電子和(he)空穴在流(liu)(liu)動后不再回到原(yuan)處，這(zhe)樣就形成(cheng)(cheng)了電流(liu)(liu)，用導線將電流(liu)(liu)引出，就是(shi)直(zhi)流(liu)(liu)電。
4、去磷硅(gui)(gui)(gui)玻璃，該(gai)工藝用于太(tai)陽(yang)能(neng)電池片生產制造過程中(zhong)，通(tong)過化(hua)(hua)學(xue)(xue)腐蝕法也即把(ba)硅(gui)(gui)(gui)片放在氫(qing)氟(fu)(fu)酸(suan)(suan)溶液中(zhong)浸泡，使其產生化(hua)(hua)學(xue)(xue)反(fan)應(ying)生成可溶性(xing)的(de)絡和(he)(he)物(wu)六(liu)氟(fu)(fu)硅(gui)(gui)(gui)酸(suan)(suan)，以去除擴散制結(jie)后在硅(gui)(gui)(gui)片表(biao)面形(xing)成的(de)一層磷硅(gui)(gui)(gui)玻璃。氫(qing)氟(fu)(fu)酸(suan)(suan)能(neng)夠溶解二氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)是因為氫(qing)氟(fu)(fu)酸(suan)(suan)與二氧化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)反(fan)應(ying)生成易揮發的(de)四氟(fu)(fu)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)氣體(ti)。若氫(qing)氟(fu)(fu)酸(suan)(suan)過量(liang)，反(fan)應(ying)生成的(de)四氟(fu)(fu)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)(gui)會進一步與氫(qing)氟(fu)(fu)酸(suan)(suan)反(fan)應(ying)生成可溶性(xing)的(de)絡和(he)(he)物(wu)六(liu)氟(fu)(fu)硅(gui)(gui)(gui)酸(suan)(suan)。
5、等(deng)離子刻(ke)蝕，由于在擴(kuo)散過程(cheng)中，即使采用背(bei)(bei)靠背(bei)(bei)擴(kuo)散，硅(gui)片的所有表(biao)面(mian)(mian)包括邊緣都將不可避免地擴(kuo)散上磷(lin)。PN結(jie)的正面(mian)(mian)所收集到的光生電(dian)子會沿(yan)著邊緣擴(kuo)散有磷(lin)的區域流(liu)到PN結(jie)的背(bei)(bei)面(mian)(mian)，而造(zao)成短路(lu)。因此，必須對(dui)太陽能(neng)電(dian)池周(zhou)邊的摻(chan)雜硅(gui)進行刻(ke)蝕，以(yi)去除電(dian)池邊緣的PN結(jie)。
6、鍍減反(fan)(fan)射(she)(she)(she)膜(mo)，拋光硅表面的反(fan)(fan)射(she)(she)(she)率(lv)為(wei)35%，為(wei)了減少(shao)表面反(fan)(fan)射(she)(she)(she)，提高電池的轉換效率(lv)，需要(yao)沉(chen)積一層氮化(hua)硅減反(fan)(fan)射(she)(she)(she)膜(mo)。工業生產中常采用(yong)PECVD設備(bei)(bei)制備(bei)(bei)減反(fan)(fan)射(she)(she)(she)膜(mo)。PECVD即等(deng)離子增強(qiang)型化(hua)學氣(qi)相沉(chen)積。
7、絲(si)(si)網(wang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)，太陽電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池經過(guo)制(zhi)絨、擴散及PECVD等工(gong)序后，已經制(zhi)成PN結(jie)，可(ke)以(yi)在光照(zhao)下產(chan)生(sheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)，為了(le)將產(chan)生(sheng)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)導出，需(xu)要在電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池表面(mian)上制(zhi)作(zuo)正、負兩個電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極。制(zhi)造電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極的(de)(de)方(fang)法很多，而絲(si)(si)網(wang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)是目前(qian)制(zhi)作(zuo)太陽電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)極最普遍的(de)(de)一種生(sheng)產(chan)工(gong)藝(yi)。絲(si)(si)網(wang)印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)是采用壓印(yin)(yin)的(de)(de)方(fang)式(shi)將預(yu)定(ding)的(de)(de)圖(tu)形印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)在基板上，該設(she)備由電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池背面(mian)銀(yin)鋁(lv)(lv)漿印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)、電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池背面(mian)鋁(lv)(lv)漿印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)和電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)池正面(mian)銀(yin)漿印(yin)(yin)刷(shua)(shua)(shua)三部分組成。
8、快(kuai)速燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)，經過(guo)絲網印刷后(hou)的硅片(pian)，不能直接使用(yong)，需(xu)經燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)爐快(kuai)速燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)，將有機樹脂粘合(he)劑燃燒(shao)(shao)掉，剩(sheng)下(xia)幾乎純粹的、由于玻璃(li)質作(zuo)用(yong)而密合(he)在(zai)硅片(pian)上(shang)的銀電極(ji)。燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)爐分為預(yu)燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)、燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)、降(jiang)溫(wen)冷卻(que)(que)三(san)個(ge)階(jie)(jie)段(duan)(duan)(duan)(duan)。預(yu)燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)階(jie)(jie)段(duan)(duan)(duan)(duan)目的是使漿料中的高分子(zi)粘合(he)劑分解、燃燒(shao)(shao)掉，此階(jie)(jie)段(duan)(duan)(duan)(duan)溫(wen)度慢慢上(shang)升；燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)階(jie)(jie)段(duan)(duan)(duan)(duan)中燒(shao)(shao)結(jie)(jie)(jie)體(ti)內完(wan)成各種物理化(hua)學反應，形成電阻(zu)膜結(jie)(jie)(jie)構，使其真正具有電阻(zu)特性(xing)，該階(jie)(jie)段(duan)(duan)(duan)(duan)溫(wen)度達到峰值;降(jiang)溫(wen)冷卻(que)(que)階(jie)(jie)段(duan)(duan)(duan)(duan)，玻璃(li)冷卻(que)(que)硬化(hua)并凝(ning)固(gu)，使電阻(zu)膜結(jie)(jie)(jie)構固(gu)定(ding)地粘附于基片(pian)上(shang)。
9、外圍設(she)(she)備在電池(chi)片生產過(guo)程(cheng)中，還需要(yao)供電、動(dong)力、給(gei)水(shui)、排(pai)水(shui)、暖通、真空、特(te)汽等外圍設(she)(she)施。消防和(he)(he)環保(bao)設(she)(she)備對(dui)于保(bao)證安全和(he)(he)持續發展也顯得尤為重要(yao)。考(kao)慮(lv)到特(te)殊氣(qi)體如(ru)硅(gui)烷(wan)的(de)安全因素，還需要(yao)單獨設(she)(she)置(zhi)一個特(te)氣(qi)間，以絕對(dui)保(bao)證生產安全。另外，硅(gui)烷(wan)燃燒塔、污(wu)水(shui)處理(li)站等也是(shi)電池(chi)片生產的(de)必(bi)備設(she)(she)施。
