一、常見金屬靶材的種類

常規金屬靶材：鎂Mg、錳Mn、鐵(tie)Fe、鈷CO、鎳Ni、銅Cu、鋅Zn、鉛Pd、錫(xi)Sn、鋁AL。

小金屬靶材：銦In、鍺Ge、鎵Ga、銻Sb、鉍Bi、鎘Cd。

難(nan)熔(rong)金屬靶材：鈦(tai)Ti、鋯Zr、鉿Hf、釩(fan)V鈮Nb、鉭Ta、銘(ming)Cr、鉬Mo、鎢W、錸Re。

貴(gui)金屬靶(ba)材(cai)：金Au、銀(yin)Ag、鈀Pd、鉑Pt、銥lr、釕Ru、銠Rh、鋨Os。

半金屬靶材：碳(tan)C、硼B、碲Te、硒Se。

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二、金屬靶材是干什么的

金屬靶材(cai)應用主要包括(kuo)平(ping)板顯(xian)示器、半導體(ti)、太(tai)陽能(neng)電池、記錄(lu)媒(mei)體(ti)等(deng)領域。其中(zhong)平(ping)板顯(xian)示器占33.80%，半導體(ti)占11.40%，太(tai)陽能(neng)電池占18.50%，記錄(lu)媒(mei)體(ti)占28.60%。

半導(dao)體芯(xin)片(pian)用(yong)金屬(shu)濺射靶(ba)材(cai)的作用(yong)，就是(shi)給(gei)芯(xin)片(pian)上制作傳遞(di)信息的金屬(shu)導(dao)線。具體的濺射過程(cheng)：首(shou)先(xian)利用(yong)高(gao)速離(li)子(zi)流，在高(gao)真空條(tiao)件下分別去轟擊(ji)不(bu)同種類(lei)的金屬(shu)濺射靶(ba)材(cai)的表(biao)(biao)面(mian)，使各(ge)種靶(ba)材(cai)表(biao)(biao)面(mian)的原子(zi)一(yi)層一(yi)層地沉積(ji)在半導(dao)體芯(xin)片(pian)的表(biao)(biao)面(mian)上，然后再(zai)通(tong)過的特殊加工工藝，將沉積(ji)在芯(xin)片(pian)表(biao)(biao)面(mian)的金屬(shu)薄膜刻(ke)蝕(shi)成納米級別的金屬(shu)線，將芯(xin)片(pian)內部數以億(yi)計(ji)的微型晶(jing)體管相(xiang)互(hu)連接(jie)起來，從而起到傳遞(di)信號(hao)的作用(yong)。

行業用(yong)(yong)(yong)(yong)的(de)(de)金屬濺(jian)射靶(ba)(ba)材(cai)，主(zhu)要種類包括：銅、鉭(tan)、鋁、鈦、鈷和(he)(he)鎢等高純濺(jian)射靶(ba)(ba)材(cai)，以及鎳鉑、鎢鈦等合(he)(he)金類的(de)(de)金屬濺(jian)射靶(ba)(ba)材(cai)。銅靶(ba)(ba)和(he)(he)鉭(tan)靶(ba)(ba)通(tong)常配合(he)(he)起來使(shi)用(yong)(yong)(yong)(yong)。目(mu)前(qian)晶圓的(de)(de)制造正(zheng)朝(chao)著更小的(de)(de)制程(cheng)方向(xiang)發展，銅導線(xian)工藝的(de)(de)應用(yong)(yong)(yong)(yong)量在逐步(bu)增大(da)，因(yin)此，銅和(he)(he)鉭(tan)靶(ba)(ba)材(cai)的(de)(de)需(xu)求將有望持續增長。鋁靶(ba)(ba)和(he)(he)鈦靶(ba)(ba)通(tong)常配合(he)(he)起來使(shi)用(yong)(yong)(yong)(yong)。目(mu)前(qian)，在汽車電子芯片等需(xu)要110nm以上技術節點來保(bao)證其(qi)穩定性和(he)(he)抗干擾(rao)性的(de)(de)領域，仍需(xu)大(da)量使(shi)用(yong)(yong)(yong)(yong)鋁、鈦靶(ba)(ba)材(cai)。

應用于超大規模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積（PVD）工藝，用于制備電子薄膜材料，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等金屬靶材。