一、電池片生產對身體有害嗎

從事太陽能電池片生產工作(zuo)對(dui)(dui)人體有危害嗎？答案是太陽電池片對(dui)(dui)人體有危害。

從事(shi)太陽能(neng)電池(chi)的生產工作(zuo)，對人體有(you)(you)潛(qian)在(zai)的危害，首先硅沒(mei)有(you)(you)毒(du)性(xing)，無輻(fu)射，但(dan)在(zai)多晶硅電池(chi)的生產過(guo)程中會產生有(you)(you)毒(du)物質，機器也會產生強烈的電磁輻(fu)射。所(suo)以(yi)如果長期從事(shi)本行業的工作(zuo)的話，對身(shen)體是(shi)有(you)(you)害的，工作(zuo)時應(ying)該做相關(guan)的防(fang)護(hu)措施(shi)。

太陽(yang)能電池(chi)片在生產過(guo)程(cheng)中，會使用一(yi)些化學(xue)物(wu)質，但(dan)是通風好可以避免中毒，一(yi)般(ban)來說(shuo)，生產太陽(yang)能電池(chi)片的車(che)間都(dou)要求高(gao)干凈(jing)凈(jing)度，所以應該是對(dui)人體(ti)沒有什么危害(hai)。

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二、電池片生產的工藝流程

從傳(chuan)統電(dian)池片制作工藝流程來看，主要可以概括為以下6個步驟(zou)：

1、清洗與制(zhi)絨(rong)，主要目(mu)的(de)(de)(de)是去除(chu)吸(xi)附(fu)在(zai)硅(gui)(gui)片表面的(de)(de)(de)各類污染物，去除(chu)硅(gui)(gui)片表面的(de)(de)(de)切割損(sun)壞(huai)層；利用(yong)陷光(guang)原理降低(di)電(dian)(dian)池(chi)表面反射率(lv)，絨(rong)面凹凸不平可(ke)以增(zeng)加(jia)二次反射，改變光(guang)程(cheng)及入射方式，增(zeng)加(jia)光(guang)的(de)(de)(de)吸(xi)收，提(ti)高短路電(dian)(dian)流(liu)，進而提(ti)升電(dian)(dian)池(chi)轉換效率(lv)。其中，因(yin)單(dan)多晶晶體結(jie)構(gou)差(cha)異，考慮到效率(lv)因(yin)素(su)，多晶硅(gui)(gui)電(dian)(dian)池(chi)用(yong)酸制(zhi)絨(rong)，絨(rong)面為不規(gui)則凹凸面；單(dan)晶硅(gui)(gui)電(dian)(dian)池(chi)用(yong)堿制(zhi)絨(rong)，絨(rong)面為規(gui)則類金字塔(ta)結(jie)構(gou)。

2、擴(kuo)(kuo)(kuo)(kuo)散(san)(san)，主要(yao)(yao)(yao)目(mu)的(de)是(shi)形成PN結，該環節是(shi)電(dian)(dian)池片(pian)制造的(de)心臟，使電(dian)(dian)池片(pian)具(ju)有功能。P型硅片(pian)需要(yao)(yao)(yao)進行磷(lin)(lin)(lin)擴(kuo)(kuo)(kuo)(kuo)散(san)(san)，液(ye)(ye)態(tai)磷(lin)(lin)(lin)源(yuan)三(san)(san)氯(lv)氧磷(lin)(lin)(lin)是(shi)當(dang)前(qian)(qian)磷(lin)(lin)(lin)擴(kuo)(kuo)(kuo)(kuo)散(san)(san)較(jiao)主流的(de)選擇(ze)，主要(yao)(yao)(yao)原因系液(ye)(ye)態(tai)磷(lin)(lin)(lin)源(yuan)擴(kuo)(kuo)(kuo)(kuo)散(san)(san)具(ju)有生產效率較(jiao)高、穩定性好、制得PN結均(jun)勻平整及擴(kuo)(kuo)(kuo)(kuo)散(san)(san)層表面良好等(deng)優點；N型硅片(pian)需要(yao)(yao)(yao)進行硼(peng)(peng)(peng)擴(kuo)(kuo)(kuo)(kuo)散(san)(san)，目(mu)前(qian)(qian)硼(peng)(peng)(peng)擴(kuo)(kuo)(kuo)(kuo)散(san)(san)液(ye)(ye)態(tai)源(yuan)主要(yao)(yao)(yao)包括(kuo)硼(peng)(peng)(peng)酸三(san)(san)甲酯、硼(peng)(peng)(peng)酸三(san)(san)丙酯及三(san)(san)溴化硼(peng)(peng)(peng)等(deng)，擴(kuo)(kuo)(kuo)(kuo)硼(peng)(peng)(peng)比擴(kuo)(kuo)(kuo)(kuo)磷(lin)(lin)(lin)工藝難度(du)大(da)，主要(yao)(yao)(yao)原因系硼(peng)(peng)(peng)在硅中(zhong)固溶度(du)較(jiao)低，實(shi)際硼(peng)(peng)(peng)擴(kuo)(kuo)(kuo)(kuo)散(san)(san)溫度(du)需要(yao)(yao)(yao)達到900~1100攝氏度(du)。

3、刻蝕（去(qu)磷(lin)硅(gui)玻(bo)璃），在擴散工(gong)序(xu)中(zhong)，硅(gui)片側邊(bian)(bian)和背面邊(bian)(bian)緣(yuan)沒(mei)有(you)(you)遮擋(dang)，也會(hui)擴散上磷(lin)，PN結正面所收集(ji)的(de)光生電子會(hui)沿邊(bian)(bian)緣(yuan)擴散有(you)(you)磷(lin)的(de)區域流(liu)到PN結背面，從而造(zao)成(cheng)短路，使(shi)電池片失效(xiao)。刻蝕工(gong)序(xu)即是將(jiang)硅(gui)片邊(bian)(bian)緣(yuan)帶(dai)有(you)(you)磷(lin)的(de)部分去(qu)除，避免(mian)PN結短路且造(zao)成(cheng)并聯電阻降低。

4、鍍(du)膜(mo)，主要起到，一是減反射作(zuo)用(yong)，提(ti)(ti)高(gao)電池片對陽光(guang)的(de)吸(xi)收，提(ti)(ti)高(gao)光(guang)生電流(liu)，從(cong)而提(ti)(ti)高(gao)轉(zhuan)換效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)；二(er)是鈍(dun)化(hua)作(zuo)用(yong)，薄(bo)膜(mo)中的(de)氫對電池表面(mian)的(de)鈍(dun)化(hua)降低了發射結的(de)表面(mian)復合速(su)率(lv)(lv)(lv)，提(ti)(ti)升開路電壓，從(cong)而提(ti)(ti)高(gao)轉(zhuan)換效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)(lv)。光(guang)伏電池片中常見的(de)鍍(du)膜(mo)技術(shu)包括(kuo)PECVD、LPCVD、PVD、ALD等(deng)。

5、絲網印(yin)刷，主要作用(yong)是為太陽能電池(chi)收集電流并制(zhi)造電極(ji)，其(qi)中(zhong)第(di)一道背(bei)面(mian)(mian)銀電極(ji)，第(di)二(er)道背(bei)面(mian)(mian)鋁(lv)背(bei)場印(yin)刷和烘(hong)干，第(di)三道正面(mian)(mian)銀電極(ji)印(yin)刷。

6、燒結，即把印刷到電池片表面的電(dian)(dian)極在高(gao)溫下燒結(jie)，使電(dian)(dian)極和硅片本身形成歐姆(mu)接觸，提高(gao)電(dian)(dian)池(chi)片開路電(dian)(dian)壓(ya)和填(tian)充因子，使電(dian)(dian)極接觸有(you)電(dian)(dian)阻特性以達到高(gao)轉(zhuan)換效率(lv)。