一、太陽能硅片是什么材料
太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池分(fen)為單晶硅(gui)太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池、多晶硅(gui)薄膜(mo)太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池和非晶硅(gui)薄膜(mo)太(tai)陽能(neng)(neng)電(dian)(dian)池三種。
1、單質硅的一種形態。熔融的單質硅(gui)在凝(ning)固時硅(gui)原(yuan)子以金剛石晶(jing)格排列成(cheng)(cheng)許多晶(jing)核(he)，如(ru)果這些(xie)晶(jing)核(he)長成(cheng)(cheng)晶(jing)面(mian)取向(xiang)相同的晶(jing)粒，則這些(xie)晶(jing)粒平行結合起(qi)來便結晶(jing)成(cheng)(cheng)單晶(jing)硅(gui)。
2、多晶硅是單質硅的一種形態。熔融(rong)的單質硅在過冷條(tiao)件下(xia)凝固時(shi)，硅原子以(yi)金剛石晶(jing)(jing)格形態(tai)排列成(cheng)許多晶(jing)(jing)核，如這些晶(jing)(jing)核長成(cheng)晶(jing)(jing)面取向不同的晶(jing)(jing)粒，則這些晶(jing)(jing)粒結(jie)合起(qi)來，就(jiu)結(jie)晶(jing)(jing)成(cheng)多晶(jing)(jing)硅。
3、非晶硅。由非晶態合金制備，要獲得非晶態，需要有高的冷卻速率，而對冷卻速率的具體要求隨材料而定。硅要求有極高的冷卻速率，用液態快速淬火的方法目前還無法得到非晶態。近年來，發展了許多種氣相淀積非晶態硅膜的技術，其中包括真空蒸發、輝光放電、濺射及化學氣相淀積等方法。一般所用的主要原料是單硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等(deng)，純度要求(qiu)很高(gao)。非晶硅膜的結(jie)構和性質與制(zhi)備(bei)工(gong)藝的關系非常密切，目前認為以輝光放電法(fa)制(zhi)備(bei)的非晶硅膜質量最好(hao)，設備(bei)也并不復雜。
二、怎么挑選太陽能硅片
1、首先看外觀(guan)，必須無(wu)(wu)裂(lie)紋，無(wu)(wu)硬傷，無(wu)(wu)孔(kong)洞(dong)，無(wu)(wu)崩邊(bian)。
2、其次(ci)看(kan)物理指(zhi)(zhi)(zhi)標，物理指(zhi)(zhi)(zhi)標很(hen)多，包括晶(jing)向(xiang)，晶(jing)向(xiang)偏差，類(lei)型，厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)，邊長，垂直(zhi)度(du)等等。用(yong)相應的測試儀器(qi)確定類(lei)型，晶(jing)向(xiang)等；用(yong)相應測量儀器(qi)抽測5點厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)、公差，邊長和對(dui)角線長及公差，垂直(zhi)度(du)等，這(zhe)里面對(dui)太(tai)陽能電(dian)池工藝(yi)來(lai)說(shuo)，最重(zhong)要(yao)的是硅片(pian)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)及厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)變化（TTV），因為很(hen)多太(tai)陽能電(dian)池生產線是有(you)硅片(pian)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)要(yao)求的，低于(yu)起生產最低厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)，碎(sui)(sui)片(pian)率(lv)就會(hui)提高(gao)，利潤(run)就折騰到這(zhe)碎(sui)(sui)片(pian)里頭了(le)。另外碳、氧含量對(dui)硅片(pian)品質來(lai)說(shuo)非常重(zhong)要(yao)，一定要(yao)進(jin)行(xing)抽測，當然(ran)，正常說(shuo)來(lai)，這(zhe)兩(liang)個指(zhi)(zhi)(zhi)標不(bu)會(hui)有(you)問(wen)題(ti)，如(ru)果有(you)問(wen)題(ti)的話(hua)，它們就會(hui)直(zhi)接反(fan)映(ying)在(zai)后面講到的電(dian)學指(zhi)(zhi)(zhi)標中(zhong)了(le)。
3、最后(hou)看電學指(zhi)標(biao)，主(zhu)要(yao)是少(shao)子壽(shou)命和電阻率，硅片的等級(ji)主(zhu)要(yao)通過這(zhe)兩個指(zhi)標(biao)確定(ding)。比(bi)如目(mu)前A級(ji)的單晶(jing)硅片少(shao)子壽(shou)命要(yao)求(qiu)大于10μs，電阻率0-6Ω.cm。
